Słowniczek:

A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z

Czas dostępu:
Wartość czasowa określająca czas wymagany do nawiązania komunikacji z dyskiem. W przypadku mechanicznych dysków twardych czas dostępu to suma czasu rozpędu, czasu wyszukania, opóźnienia obrotowego i czasu transferu.

Architektura ABL (All Bit Line):
Pamięć o architekturze ABL (All Bit Line) została wprowadzona przez firmę SanDisk na targach ISSCC 2008 jako rozwiązanie szybsze od pamięci "tradycyjnych". W pamięci tradycyjnej operacje zlecone przez użytkownika są wykonywane dla co drugiej komórki w ramach danego wiersza słowa. W architekturze ABL wykonywane są operacje na wszystkich komórkach jednocześnie. Oznacza to wzrost wydajności o przynajmniej 100% architektury ABL w porównaniu do układów tradycyjnych. Dodatkowe techniki typu "push" pozwalają jeszcze bardziej zwiększyć wydajność.

AFM:
Technologie Adaptive Flash Management firmy SanDisk przyczyniają się do zwiększenia możliwości pamięci NAND. AFM wykorzystuje takie technologie jak ExtremeFFS™ - technologię zarządzania dyskiem flaszowym oparty na stronach - architekturę All Bit Line (ABL) i pomiary wytrzymałości.

Angstrem (Å):
Jednostka miary liniowej odpowiadająca jednej dziesięciomiliardowej metra. Średnica ludzkiego włosa wynosi około 750 000 Å.

Matryca:
W litografii jest to powtarzający się układ na kości, np. matryca komórek pamięci.

Standard ATA 8:
Standard ATA-8 jest przeznaczony do obsługi polecenia DSM (zarządzania zestawem danych). Polecenie to jest kluczem do wykorzystania funkcji TRIM.

Wróć na górę

Uszkodzony blok:
Blok dysku, który został ma fabryczną usterkę lub nabył jej w trakcie eksploatacji.

Zarządzanie uszkodzonymi blokami:
Sposób oznaczania i izolowania uszkodzonych bloków, tak aby nie były one wykorzystywane do zapisywania danych. Algorytm wyłącza uszkodzone bloki i zastępuje je blokami zapasowymi.

Bit:
Podstawowa jednostka informacji.

Blok:
Fizyczny podział komunikatu składającego się z sekwencji bajtów i bitów o nominalnym rozmiarze (długość bloku), istniejący w celu transferu komunikatów. Dzielenie danych na bloki i ich adresowanie z użyciem bloku to praktycznie uniwersalny sposób na przechowywanie danych, niezależnie od tego, czy mowa o taśmie 9-ścieżkowej, dyskietce, mechanicznym dysku twardym, dysku optycznym czy pamięci NAND. W układach NAND blok jest najmniejszą jednostką kasowania. W dyskach twardych blok jest przecięciem ścieżki i sektora. Adres bloku to numer cylindra, głowicy i sektora (ang. CHS, Cylinder, Head, Sector)

Bor:
Pierwiastek chemiczny o liczbie atomowej 5 służący do p-dopingu krzemu.

Bajt:
Jednostka danych składająca się z 8 bitów.

Wróć na górę

Kanał:
Przewodnik prądu w tranzystorze MOSFET między materiałami półprzewodnikowymi typu n lub typu p.

Tranzystor pamięci z pułapką na ładunek:
Przechowuje ładunek (elektrony) w pływającej bramce.

Obwód:
Połączenie elementów i składników elektrycznych pozwalające wykonać określoną funkcję.

Pomieszczenie sterylne:
Zamknięty obszar w zakładzie produkcyjnym o zdefiniowanej klasie czystości ustalającej dopuszczalny poziom zanieczyszczeń, z kontrolą wilgotności, temperatury i cząsteczek powietrza.

CMOS

Proces produkcji, wytwarzający kanały typu p i typu n w tranzystorach MOS w ramach tego samego podkładu krzemowego.

Kryształ:
Jednorodna substancja stała utworzona jako trójwymiarowy wzór atomów, jonów lub innych cząsteczek, z ustaloną stałą odległością między cząsteczkami składowymi, często charakteryzująca się zewnętrznymi płaszczyznami sieciowymi.

Cylinder:
Wszystkie ścieżki, które są dostępne na dysku twardym bez poruszania głowicy.

Wróć na górę

Niezawodność danych
Możliwość wykonywania przez system lub jego element określonych funkcji w zadanych warunkach przez określony czas. W celu określenia wydajności produktu w trakcie jego cyklu eksploatacji wykonywane są specjalne testy (kwalifikujące).

Retencja danych:
Maksymalny okres, w trakcie którego można bezpiecznie odczytać dane zapisane w pamięci nieulotnej.

Technologia akceleracji nCache™1
Technologia akceleracji nCache™ to duża, nieulotna pamięć podręczna SLC (unikatowa cecha dysków SSD firmy SanDisk), która zwiększa szybkość zapisu losowego oraz zwiększa komfort użytkowania. Badania wykazały, że współczesne systemy operacyjne zazwyczaj uzyskują dostęp do urządzeń pamięci masowej przy użyciu bloków o wielkości 4 K. Takie polecenia zapisu, obejmujące niewielką ilość danych, są przekazywane do pamięci podręcznej, a na dysku są zapisywane w wolnych chwilach, gdy nie jest on używany przez komputer. Jest to procedura niegrożąca utratą danych. W zwykłych, codziennych zastosowaniach wydajność dysku jest wydajnością pamięci podręcznej nCache™ (chwilową), a nie trwałą wydajnością pamięci (ciągłego zapisu) dysku SSD. Na bazie testów losowego zapisu 4 K danych przez IOMeter

Defekt:
Chemiczna lub strukturalna nieregularność kryształu, która pogarsza strukturę samego kryształu lub warstw tworzonych na płytach krzemowych.

Kość:
Połączenie różnych obwodów o określonej funkcjonalności, nadrukowywanych setkami na płycie krzemowej. Sam układ nie jest opakowany.

Dielektryk:
Izolator służący do opisu niemetali i ich współdziałania z polami elektrostatycznymi, magnetycznymi lub elektromagnetycznymi, włącznie z przechowywaniem i rozprzestrzenianiem energii magnetycznej. Wiele zjawisk w elektronice, fizyce ciał stałych oraz optyce można wyjaśnić po przyjęciu założenia o dielektryku.

Błąd zmiany zawartości:
Odwrócenie zawartości bitu w trakcie operacji odczytu lub zapisu

Wróć na górę

Pamięć EEPROM:
Wczesna wersja pamięci nieulotnej.

Pakowanie:
Proces opakowywania układu w inne obwody zapewniające ochronę mechaniczną i przed warunkami otoczenia.

Wytrzymałość:
Liczba cykli zapisu/odczytu danych, które mogą być wykonane na pamięci flash bez narażania niezawodności danych.

Pomiary wytrzymałości:
Firma SanDisk opracowała pierwszy branżowy standard pomiarów (poprzednio znany jako LDE), który mierzy ilość danych możliwych do zapisania na dysku SSD w całym okresie jego eksploatacji, wyrażoną w postaci dokładnej i przydatnej liczby. System pomiaru został opracowane przez firmę SanDisk i przedłożony do JEDEC jako test porównawczy umożliwiający użytkownikom porównanie trwałości danych na dyskach SSD różnych producentów. System mierzy - w oparciu o typowe operacje wykonywane przez użytkownika końcowego - całkowitą liczbę zapisu danych, wyrażoną w terabajtach zapisywanych danych (TBW), którego można dokonać na dysku SSD w całym okresie jego eksploatacji. Obliczenia bazują na wzorcu typowych rozmiarów zapisywanych danych oraz założeniu równomiernego zapisywania przez cały okres eksploatacji dysku i przechowywaniu danych przez co najmniej 1 rok po przekroczeniu wskaźnika TBW. Przyjęto wewnętrzne ustalenia firmy SanDisk, zgodnie z którymi typowy użytkownik komputera zapisuje dziennie 4 GB danych.

Pamięć EPROM:
Wczesna wersja pamięci nieulotnej.

Kody korekcji/korygowania błędów (EDC/ECC):
Pozwalają na wykrywanie błędów, rekonstrukcję oryginalnych danych przy użyciu bitów nadmiarowych oraz wydłużenie retencji danych.

Trawienie:
Technika mikrofabrykacji służąca do chemicznego usuwania warstw z powierzchni płyty krzemowej w trakcie produkcji układów. Trawienie jest kluczowym procesem całej produkcji, wielokrotnie wykonywanym na jednej płycie i przeprowadzanym tak, aby liczba uszkodzeń była jak najmniejsza. Wybrane fragmenty płyty są chronione przed wytrawieniem przy użyciu specjalnej maski. W niektórych przypadkach, gdy wykonywana jest litografia światłem, maska jest utworzona z materiału odpornego na światło. W pozostałych sytuacjach używany jest trwalszy materiał wykonany z azotku krzemu.

ExtremeFFS™^*(Extreme Flash File System)
Technologia ExtremeFFS™^* pozwala na przyspieszenie operacji losowego zapisu danych i wydłużenie czasu pracy dysków SSD SanDisk w komputerach z takimi systemami, jak Windows XP i Windows 7. Technologia ExtremeFFS wykorzystuje nowatorskie elementy zarządzania pamięcią flash, takie jak:

• Algorytm stronicowania:Technologia ExtremeFFS korzysta z algorytmu stronicowania, bez stałego powiązania między lokalizacją fizyczną i logiczną. Dzięki temu dysk SSD SanDisk® może zapisać dane w tym sektorze, w którym jest to optymalne.
• Architektura pozbawiona blokad: kanały NAND działają niezależnie odpowiednio do poleceń użytkownika. Możliwe jest równoległe odczytywanie w jednym kanale i zapisywanie oraz usuwanie niepotrzebnych danych w drugim.

^*Algorytm ExtremeFFS to system zarządzania pamięcią flash opracowany przez firmę SanDisk, zoptymalizowany pod kątem najpopularniejszych systemów operacyjnych. Umożliwia on znaczne zwiększenie szybkości losowego zapisu danych na dyskach SSD i efektywności tych dysków, poprawiając tym samym wydajność i wydłużając okres eksploatacji dysków SSD zainstalowanych w komputerach stacjonarnych.

Wróć na górę

Fab:
Fabryka, w której odbywa się produkcja płyt krzemowych.

Pamięć flash:
Półprzewodnikowa pamięć nieulotna zbudowana z jednotranzystorowych komórek pamięci. Mechanizm działania pamięci opiera się na umieszczaniu ładunku w dielektryku bramki. Druga bramka tranzystora pozwala na przechowywanie danych oraz na jednoczesne elektroniczne usuwanie określonych bloków pamięci.

Bramka pływająca:
Przechowuje ładunek elektryczny przez długi czas, nawet bez podłączenia do źródła prądu. Elektrony przechowywane w bramce pływającej są wyczuwane przez napięcie progowe.

Wróć na górę

Bramka:
Elektroda, która reguluje przepływ prądu w tranzystorze MOS (półprzewodniku z tlenku metalu).

Tlenek bramkowy:
Cienka warstwa wytworzonego termicznie pozbawionego defektów czystego tlenku. Służy jako warstwa dielektryka w tranzystorze MOSFET umieszczona między źródłem i odpływem.

Wróć na górę

Głowica:
Urządzenie do zapisywania i odczytywania danych z talerza dysku twardego. Każda głowica działa po jednej stronie jednego talerza.

Wróć na górę

Walec krzemowy:
Używany w przemyśle półprzewodników materiał krzemowy przetwarzany tak, aby uzyskać pojedyncze kryształki krzemu. Walec jest następnie przecinany i polerowany, w wyniku czego powstają płyty krzemowe, z których można utworzyć różnego rodzaju urządzenia elektroniczne: od mikroprocesorów po układy pamięci.

IOPS (wejście/wyjście na sekundę)
Miara liczby operacji (np. odczytu lub zapisu) wykonywanych w trakcie jednej sekundy. Podczas dostępu do rozmieszczonych losowo danych dysk SSD uzyskuje wyższą wartość IOPS od dysku mechanicznego.

Wróć na górę

Stowarzyszenie JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council)
Główny twórca standardów w branży pamięci flashowych. W pracach stowarzyszenia uczestniczy ponad 3000 uczestników nominowanych przez 295 firm i pracujących w 50 komitetach.

Wróć na górę

Opóźnienie:
Odstęp czasu między wydaniem polecenia i jego wykonaniem.

Poziom:
Metoda logiczna służąca do określenia wartości analogowej bitu. 1 bit wymaga dwóch poziomów.

Litografia:
Skrót od nazwy fotolitografia. Technika mikrofabrykacji służąca do nanoszenia wzorów układów elektronicznych i systemów mikroelektromechanicznych. Jest to termin zapożyczony z języka drukarskiego (zarówno w obrębie druku tekstu, jak i grafik). W pierwotnym znaczeniu litografia jest procesem wykorzystania oleju lub tłuszczów i gumy arabskiej do podzielenia gładkiej powierzchni na obszary przyjmujące atrament oraz na hydrofilowe obszary, które nie wiążą atramentu i na wydruku są widoczne jako tło.

LBA (adresowanie bloku logicznego):
Schemat adresowania, w którym bloki danych są numerowane liniowo, a nie według metody CHS, tj. przez podanie numeru cylindra, głowicy i sektora. Mechanizm LBA jest zdecydowanie częściej używany od mechanizmu CHS, jednak współczesne dyski SSD i dyski mechaniczne obsługują każdy z tych sposobów.

Wróć na górę

Maska:
Płyta ze szkła lub kwarcu z fotograficznym obrazem wzorca układów, który ma być naniesiony w ramach jednej warstwy. Maska, nakładana na warstwę światłoczułą, zakrywa powierzchnię płyty tak, aby odpowiednio zasłonić lub odsłonić różne obszary płyty na potrzeby kolejnych etapów trawienia układów elektronicznych.

MTBF (średni czas między awariami)
Średnia długość czasu do wystąpienia awarii.

MTTF (średni czas do awarii).
Czas do wystąpienia pierwszej awarii. Ta wartość jest używana w systemach, w których pierwsza awaria jest zazwyczaj krytyczna.

Komórka pamięci:
Przecięcie wiersza bitów i wiersza słów wskazujące na miejsce przechowywania danych.

Tranzystor MOSFET:
Urządzenie służące do wzmacniania sygnałów elektronicznych. Jest to najczęściej stosowany tranzystor w obwodach cyfrowych i analogowych. Tranzystor MOSFET składa się z półprzewodnika typu n i typu p.

Mikrometr:
Metryczna jednostka odległości wynosząca jedną milionową metra lub 10 000 angstremów.

Prawo Moore'a:
Prawo opracowane na podstawie prognozy z 1965 r., która mówi, że gęstość tranzystorów podwaja się raz na półtora roku - dwa lata. Opisuje miniaturyzację obwodów zintegrowanych.

Komórka wielopoziomowa (MLC):
Komórka, w której jest przechowywany więcej niż jeden bit, np. D2, D3, x4.

Wróć na górę

Pamięć NAND:
Pamięć nieulotna pozwalająca na sekwencyjny dostęp do komórek pamięci. Pozwala na bardziej efektywne wykorzystanie krzemu od pamięci NOR, zmniejsza koszt jednego gigabajta i jest od niej szybsza. Dzięki temu jest odpowiednim rozwiązaniem do masowego przechowywania danych.

Pamięć nieulotna:
Typ pamięci, w której dane są przechowywane nawet po odłączeniu zasilania.

Pamięć NOR:
Pamięć NOR, która pozwala na bezpośredni dostęp do każdej komórki pamięci. Jest mniej efektywnym wykorzystaniem krzemu od pamięci NAND, zwiększa koszt jednego gigabajta i pozwala na szybszy losowy odczyt danych od pamięci NAND, jednak jest wolniejsza w ich zapisie. Odpowiednie rozwiązanie do przechowywania kodu.

Typ n:
Półprzewodnik naładowany ujemnie, tj. o nadmiarze elektronów.

Wróć na górę

Pamięć OTP
Pamięć, do której tylko raz można zapisać informacje i nie można ich usunąć. Możliwość odczytu nie jest ograniczona.

Wróć na górę

Strona:
Najmniejsza jednostka zapisywania danych w pamięci NAND.

Talerz:
Wirujący dysk magnetyczny używany w mechanicznych dyskach twardych. Dane na talerzu są zapisywane przy użyciu głowicy, po jego górnej i po dolnej stronie.

Płyta drukowana
Płyta składająca się z określonych, niedrogich izolatorów dielektrycznych, pozwalająca na mechaniczne i elektryczne połączenie elementów elektronicznych. Płyta drukowana wykorzystuje ścieżki (szlaki) wytrawione z arkuszy miedzi i naniesione na nieprzewodzący podkład.

Klasy energii:
Ograniczenia zasilania są wszechobecne w przenośnych zastosowaniach obliczeniowych. Dysk SanDisk i100 jest zgodny z klasami energii, które mogą ograniczać wydajność dysku SSD i w rezultacie ograniczać zużycie energii. Zapewnia to optymalną elastyczność między potrzebami zasilania i mocy obliczeniowej, a także umożliwia producentom OEM korzystanie z licznych zalet dysków SSD, nawet wtedy, gdy maksymalna wydajność nie jest wymagana.

Typ p:
Półprzewodnik naładowany dodatnio, tj. o braku elektronów. Powstaje z reguły wskutek domieszkowania borem.

Wróć na górę

Dostęp losowy:
Możliwość odczytania wszystkich elementów sekwencji bez zadanej z góry kolejności w tej samej ilości czasu.

Pamięć RAM:
Pamięć ulotna pozwalająca na odczyt i zapis danych w dowolnej kolejności, z dowolnego miejsca.

Niezawodność:
Prawdopodobieństwo, iż produkt będzie działał zgodnie z oczekiwaniami przy zadanych warunkach przez określoną ilość czasu.

RPM (obroty na minutę):
Miara szybkości mechanicznych dysków twardych, opisująca liczbę obrotów talerza dysku na minutę.

 

Wróć na górę

SATA uSSD™:
Standard SATA-IO dla wbudowanych fleszowych dysków twardych (SSD). Specyfikacja SATA µSSD™ eliminuje złącze modułu z tradycyjnego interfejsu SATA, umożliwiając projektantom tworzenie implementacji SATA z jednym mikroukładem dla wbudowanych zastosowań pamięci. Standard jest wdrażany przez zintegrowane urządzenie pamięci masowej SanDisk® iSSD™.

Sektor:
Minimalny w rozumieniu adresowania obszar na dysku w kształcie wycinka koła, na który można zapisywać dane i je następnie odczytywać.

Czas wyszukiwania:
Czas wymagany przez głowicę na ustawienie wybranej ścieżki na dysku twardym.

Półprzewodnik:
Ciało stałe o przewodności mającej wartość między pełnym przewodnikiem i izolatorem.

Krzem:

Pierwiastek z tablicy okresowej, który służy do produkowania półprzewodników.

Komórki jednopoziomowe (SLC):
Komórki, w których można zapisać jeden bit.

Wyodrębnianie:
Proces wycinania z płyty krzemowej poszczególnych układów.

Czas rozruchu:
Czas, jaki jest wymagany, aby dysk twardy nabrał pełnej szybkości.

Wróć na górę

Napięcie progowe:
Napięcie, które pozwala sprawdzić obecność elektronów w bramce pływającej, i jednocześnie napięcie progowe, które pozwala na przepływ prądu.

Ścieżka:
Cienkie, koncentryczne okręgi na powierzchni talerza mechanicznego dysku twardego, które pozwalają zlokalizować położenie danych.

Tranzystor:
Półprzewodnik służący do wzmacniania sygnału lub działający jako sterowany elektrycznie przełącznik. Podstawowy składnik komputerów, telefonów komórkowych i innych współczesnych urządzeń elektronicznych. Tranzystor jest zbudowany z półprzewodnika i ma przynajmniej trzy styki do podłączenia do obwodu zewnętrznego. Przyłożenie napięcia lub natężenia do dwóch styków zmienia przepływ prądu przez drugą parę styków. Ponieważ prąd podlegający kontroli może być dużo silniejszy od prądu sterującego, tranzystor pozwala na wzmocnienie sygnału.

Ładunki w pułapce:
Ładunki umieszczone w pułapce w tlenku bramki. Podstawowy element pamięci nieulotnej.

TRIM:
Funkcja pozwalająca na znaczące zwiększenie wydajności dysku SSD. Pozwala na przekazanie informacji o nieużywanej przestrzeni pamięci i na zarządzanie zasobami w sposób ciągły. W ten sposób można uzyskać optymalne wykorzystanie dysku przez cały okres jego eksploatacji.

Tunelowanie:
Zjawisko fizyczne polegające na przechodzeniu elektronów przez warstwę izolacyjną lub odstęp między dwoma przewodnikami. Tunelowanie jest podstawową operacją pozwalającą na zapisywanie i usuwanie danych w pamięci NAND.

Wróć na górę

Pamięć ulotna:
Pamięć przechowująca dane wyłącznie przy dostępnym zasilaniu.

Wróć na górę

Płyta:
Element powstający z równoległego odcinania warstw kryształu półprzewodnika, np. krzemu. Płyta krzemowa powstaje z walców krzemowych.

Równoważenie zużycia:
Rozwiązanie zapobiegające zużyciu określonych bloków pamięci. Pozwala na równomierne rozłożenie cyklów zapisywania i usuwania danych na wszystkie komórki i wydłużenie czasu eksploatacji pamięci flashowej. Równoważenie zużycia jest szczególnie przydatne przy popularnych systemach plików (np. systemie FAT z systemu operacyjnego DOS) oraz przy mechanizmach zarządzania plikami, które często wykonują zapis i usuwanie danych w tej samej lokalizacji.

Wróć na górę

Uzysk:
Proporcja nieuszkodzonych układów na płycie do wszystkich układów.